我校材料科学与工程学院和南京大学电子科学与工程学院合作，在磁电信息存储研究方面取得重要进展，相关成果发表在ACS旗下国际期刊ACS Applied Materials & Interfaces（中科院大类1区Top，IF：8.758）。安工大材料科学与工程学院为论文第一单位，教师陈立明和硕士研究生周健分别为论文第一和第二作者，通讯作者为教师丁健翔和南京大学王学锋教授。
论文提出低温量子干涉效应（QIE）对La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结(FTJ)器件隧穿电阻效应及开关比（ON/OFF）增强机制。在低温下(~30 K) La0.7Sr0.3MnO3薄膜（15 unit cell）出现反常电阻率最小值，通过拟合计算可知这种特殊的低温输运性质并非由近藤效应产生而是源自电子-电子相互作用。这种QIE引起La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3之间的界面电阻升高，OFF态电流降低，由此使得隧道结器件ON/OFF值在30 K达到~105，相较于300 K提升了一个数量级，并且接近于闪存（Flash Memory）水平（104~105）。通过分析器件不同温度下霍尔电阻及载流子浓度变化规律，进一步证实了低温电子-电子相互作用对器件隧穿电阻效应的影响。此项工作为铁磁金属/铁电/半导体型隧道结与QIE之间内在相关性提供了实验证据，打破了此种隧道结的低温环境下应用的局限性。研究工作得到国家自然科学基金项目和安徽工业大学人才类项目（博士经费）的支持。（文章DOI号：https://doi.org/10.1021/acsami.1c05366）(撰稿：健翔 慎言 审核：柳东明 周彩霞 张苒)
